casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / RP1H065SPTR
Número de pieza del fabricante | RP1H065SPTR |
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Número de parte futuro | FT-RP1H065SPTR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RP1H065SPTR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 45V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 6.5A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 31 mOhm @ 6.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 3200pF @ 10V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 2W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | MPT6 |
Paquete / Caja | 6-SMD, Flat Leads |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RP1H065SPTR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RP1H065SPTR-FT |
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Microsemi Corporation
XCV1000E-8FG900C
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A3P400-1FGG484I
Microsemi Corporation
A3P600-1FG256I
Microsemi Corporation
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EP2AGX125DF25C5N
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5SGXMA5H2F35C2LN
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EP3SL150F780C4
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