casa / productos / Resistencias / Resistencias de orificio pasante / RNF14BAE835R
Número de pieza del fabricante | RNF14BAE835R |
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Número de parte futuro | FT-RNF14BAE835R |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RNF |
RNF14BAE835R Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Resistencia | 835 Ohms |
Tolerancia | ±0.1% |
Potencia (vatios) | 0.25W, 1/4W |
Composición | Metal Film |
Caracteristicas | Flame Retardant Coating, Safety |
Coeficiente de temperatura | ±25ppm/°C |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 155°C |
Paquete / Caja | Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Axial |
Tamaño / Dimensión | 0.093" Dia x 0.250" L (2.35mm x 6.35mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de terminaciones | 2 |
Tasa de fracaso | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RNF14BAE835R Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RNF14BAE835R-FT |
RNF12GTD100R
Stackpole Electronics Inc
RNF14GTD100R
Stackpole Electronics Inc
RNF14FTD100R
Stackpole Electronics Inc
RNF12FTD100R
Stackpole Electronics Inc
RNF18FTD100R
Stackpole Electronics Inc
RNF12DTC100R
Stackpole Electronics Inc
RNF14DTC100R
Stackpole Electronics Inc
RNF14DTD100R
Stackpole Electronics Inc
RNF12CTC100R
Stackpole Electronics Inc
RNF12CTD100R
Stackpole Electronics Inc
A3P030-2VQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K50SFC484-2X
Intel
5SGSED6K1F40C2N
Intel
EP4CE10E22C8
Intel
EP4S100G5F45I1
Intel
XC6VCX195T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281I
Microsemi Corporation
AGL250V2-FG144I
Microsemi Corporation
10AX115N1F40I1SG
Intel
EP1K30QC208-3
Intel