casa / productos / Resistencias / Resistencias de orificio pasante / RN55E5112BR36
Número de pieza del fabricante | RN55E5112BR36 |
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Número de parte futuro | FT-RN55E5112BR36 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-R-10509/7, RN55 |
RN55E5112BR36 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Resistencia | 51.1 kOhms |
Tolerancia | ±0.1% |
Potencia (vatios) | 0.125W, 1/8W |
Composición | Metal Film |
Caracteristicas | Flame Retardant Coating, Military, Moisture Resistant, Safety |
Coeficiente de temperatura | ±25ppm/°C |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 175°C |
Paquete / Caja | Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Axial |
Tamaño / Dimensión | 0.090" Dia x 0.240" L (2.29mm x 6.10mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de terminaciones | 2 |
Tasa de fracaso | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN55E5112BR36 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RN55E5112BR36-FT |
RN55E4702BB14
Vishay Dale
RN55E4702BR36
Vishay Dale
RN55E4702BRE6
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RN55E4732BB14
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RN55E4732BRE6
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RN55E4750BB14
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RN55E4750BRE6
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RN55E4750CB14
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RN55E4751BB14
Vishay Dale
RN55E4751BR36
Vishay Dale
LCMXO2-640HC-6SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV1600E-8FG900C
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484
Microsemi Corporation
A3PN030-Z2QNG48
Microsemi Corporation
AT40K05-2DQI
Microchip Technology
10M08SCU169I7G
Intel
10AX048K2F35I2SG
Intel
5SGXMA4H3F35I3LN
Intel
10AX115U2F45E2SG
Intel