casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos, Pre-polar / RN4987FE,LF(CT
Número de pieza del fabricante | RN4987FE,LF(CT |
---|---|
Número de parte futuro | FT-RN4987FE,LF(CT |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RN4987FE,LF(CT Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Base del emisor (R2) | 47 kOhms |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 500nA |
Frecuencia - Transición | 250MHz, 200MHz |
Potencia - max | 100mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOT-563, SOT-666 |
Paquete del dispositivo del proveedor | ES6 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN4987FE,LF(CT Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RN4987FE,LF(CT-FT |
PBLS6023D,115
Nexperia USA Inc.
PBLS6024D,115
Nexperia USA Inc.
PIMD2,115
Nexperia USA Inc.
PIMD2,125
Nexperia USA Inc.
RN1601(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1604(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1608(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1609(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1610(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2602(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
EP20K30ETC144-3N
Intel
XC3S1500-5FG320C
Xilinx Inc.
XC4VFX100-11FFG1517I
Xilinx Inc.
A42MX36-3PQ208
Microsemi Corporation
10M40DCF256I7G
Intel
EP4CE22F17C9LN
Intel
5SGSMD5H3F35I3N
Intel
XC7VX415T-2FFG1927C
Xilinx Inc.
LFX200EB-03F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF35C6N
Intel