casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos, Pre-polar / RN2706JE(TE85L,F)
Número de pieza del fabricante | RN2706JE(TE85L,F) |
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Número de parte futuro | FT-RN2706JE(TE85L,F) |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RN2706JE(TE85L,F) Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de transistor | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Base del emisor (R2) | 47 kOhms |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 100nA (ICBO) |
Frecuencia - Transición | 200MHz |
Potencia - max | 100mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOT-553 |
Paquete del dispositivo del proveedor | ESV |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN2706JE(TE85L,F) Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RN2706JE(TE85L,F)-FT |
PBLS4002D,115
Nexperia USA Inc.
PIMC31F
Nexperia USA Inc.
PIMD3F
Nexperia USA Inc.
RN1963(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1965(TE85L,F)
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RN1973(TE85L,F)
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RN2967(TE85L,F)
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XCS10-4TQ144C
Xilinx Inc.
EPF10K50ETC144-3N
Intel
XC6SLX100T-3FGG900I
Xilinx Inc.
5SGXEABK3H40I3LN
Intel
XC7K160T-2FFG676C
Xilinx Inc.
LFXP3C-4Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX65DF29C6G
Intel
EPF10K50VRC240-1
Intel
EP1K30QC208-2
Intel
5SGXEA3H1F35C2LN
Intel