casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solos, Pre-polariza / RN2309(TE85L,F)
Número de pieza del fabricante | RN2309(TE85L,F) |
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Número de parte futuro | FT-RN2309(TE85L,F) |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RN2309(TE85L,F) Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | PNP - Pre-Biased |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Base del emisor (R2) | 22 kOhms |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 10mA, 5V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 500nA |
Frecuencia - Transición | 200MHz |
Potencia - max | 100mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SC-70, SOT-323 |
Paquete del dispositivo del proveedor | USM |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN2309(TE85L,F) Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RN2309(TE85L,F)-FT |
RN1404,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1408,LF
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RN1409,LF
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LCMXO640C-4TN144C
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Lattice Semiconductor Corporation
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EP1C12F256C7N
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5SGXMA3E1H29C1N
Intel
EP2AGZ300FH29I3N
Intel
M1A3P400-FGG144
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AGL060V2-CSG121
Microsemi Corporation