casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos, Pre-polar / RN1969FE(TE85L,F)
Número de pieza del fabricante | RN1969FE(TE85L,F) |
---|---|
Número de parte futuro | FT-RN1969FE(TE85L,F) |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RN1969FE(TE85L,F) Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Base del emisor (R2) | 22 kOhms |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 10mA, 5V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 100nA (ICBO) |
Frecuencia - Transición | 250MHz |
Potencia - max | 100mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOT-563, SOT-666 |
Paquete del dispositivo del proveedor | ES6 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN1969FE(TE85L,F) Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RN1969FE(TE85L,F)-FT |
RN4601(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4603(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4604(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4607(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4608(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4609(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4602TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
IMB2AT110
Rohm Semiconductor
IMB3AT110
Rohm Semiconductor
IMD2AT108
Rohm Semiconductor
XC2S100E-6TQ144C
Xilinx Inc.
LFEC3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V6000-6FFG1517C
Xilinx Inc.
EP4SGX530HH35C3ES
Intel
XC5VLX30T-1FFG665C
Xilinx Inc.
XA6SLX45-2CSG324I
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FG144I
Microsemi Corporation
5CGXFC4C7U19C8N
Intel
10AX115S3F45E2SG
Intel
EP1S40F780C5N
Intel