casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos, Pre-polar / RN1967FE(TE85L,F)
Número de pieza del fabricante | RN1967FE(TE85L,F) |
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Número de parte futuro | FT-RN1967FE(TE85L,F) |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RN1967FE(TE85L,F) Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Base del emisor (R2) | 47 kOhms |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 100nA (ICBO) |
Frecuencia - Transición | 250MHz |
Potencia - max | 100mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOT-563, SOT-666 |
Paquete del dispositivo del proveedor | ES6 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN1967FE(TE85L,F) Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RN1967FE(TE85L,F)-FT |
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Rohm Semiconductor
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LCMXO640C-5T144C
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XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC3S200-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC2S30-6VQG100C
Xilinx Inc.
A3P1000L-FG256
Microsemi Corporation
A3P125-2PQG208I
Microsemi Corporation
AGLN060V5-VQ100I
Microsemi Corporation
LFXP6E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F45I2SG
Intel