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Toshiba Semiconductor and Storage RN1966FE(TE85L,F)
- Número de pieza de MFG
- RN1966FE(TE85L,F)
- Cantidad disponible
- 78310 Piezas
- Precio de referencia
- USD 0.056032
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- Fecha de envío
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- fabricante
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Breve descripción
- - TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
- Estado sin plomo / estado RoHS
- Cumple con RoHS (sin plomo)
- Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código de fecha (D / C)
- Nuevo
- categoria de producto
- Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos, Pre-polar
- Recurso de stock
- Distribuidor Franquiciado
- Garantía
- Garantía de calidad de 360 días.
- ficha de datos
- RN1966FE(TE85L,F).pdf
RN1966FE(TE85L,F) Presupuesto
| Número de pieza del fabricante | RN1966FE(TE85L,F) |
|---|---|
| Número de parte futuro | FT-RN1966FE(TE85L,F) |
| SPQ / MOQ | Contáctenos |
| Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| RN1966FE(TE85L,F) Estado (ciclo de vida) | En stock |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Resistor - Base del emisor (R2) | 47 kOhms |
| Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Corriente - Corte del colector (Máx.) | 100nA (ICBO) |
| Frecuencia - Transición | 250MHz |
| Potencia - max | 100mW |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caja | SOT-563, SOT-666 |
| Paquete del dispositivo del proveedor | ES6 |
| País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| RN1966FE(TE85L,F) Peso | Contáctenos |
| Número de pieza de repuesto | RN1966FE(TE85L,F)-FT |
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