casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos, Pre-polar / RN1964FE(TE85L,F)
Número de pieza del fabricante | RN1964FE(TE85L,F) |
---|---|
Número de parte futuro | FT-RN1964FE(TE85L,F) |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RN1964FE(TE85L,F) Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Base del emisor (R2) | 47 kOhms |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 100nA (ICBO) |
Frecuencia - Transición | 250MHz |
Potencia - max | 100mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOT-563, SOT-666 |
Paquete del dispositivo del proveedor | ES6 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN1964FE(TE85L,F) Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RN1964FE(TE85L,F)-FT |
RN2606(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2607(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2608(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2610(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4601(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4603(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4604(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4607(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4608(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4609(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FFGG484
Microsemi Corporation
EP3SL340F1517C4L
Intel
5SGXMA7K3F35C3N
Intel
5SGXMA3K3F35C4N
Intel
XA7A50T-1CSG324I
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FGG676I
Microsemi Corporation
10AX115N1F45E1SG
Intel
EP4SGX180DF29C3N
Intel
EP20K100QC240-3V
Intel