casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos, Pre-polar / RN1911FETE85LF
Número de pieza del fabricante | RN1911FETE85LF |
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Número de parte futuro | FT-RN1911FETE85LF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RN1911FETE85LF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Base del emisor (R2) | - |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 100nA (ICBO) |
Frecuencia - Transición | 250MHz |
Potencia - max | 100mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOT-563, SOT-666 |
Paquete del dispositivo del proveedor | ES6 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN1911FETE85LF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RN1911FETE85LF-FT |
PIMH9,115
Nexperia USA Inc.
RN1602(TE85L,F)
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Xilinx Inc.
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5SGXMA4K1F35C1N
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Xilinx Inc.
XC6VSX475T-2FFG1156E
Xilinx Inc.
A54SX32A-FBG329
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EP2AGX260EF29I3N
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