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Toshiba Semiconductor and Storage RN1706JE(TE85L,F)

Name: RN1706JE(TE85L,F)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: RN1706JE(TE85L,F)
Price: 0.456 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (515 reviews)

Número de pieza de MFG: RN1706JE(TE85L,F)

Cantidad disponible: 62550 Piezas

Precio de referencia: USD 0.456

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fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descripción: - TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos, Pre-polar

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: RN1706JE(TE85L,F).pdf

RN1706JE(TE85L,F) Presupuesto

Número de pieza del fabricante	RN1706JE(TE85L,F)
Número de parte futuro	FT-RN1706JE(TE85L,F)
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
RN1706JE(TE85L,F) Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Discontinued at Future Semiconductor
Tipo de transistor	2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Corriente - Colector (Ic) (Max)	100mA
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)	50V
Resistor - Base (R1)	4.7 kOhms
Resistor - Base del emisor (R2)	47 kOhms
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	80 @ 10mA, 5V
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Corriente - Corte del colector (Máx.)	100nA (ICBO)
Frecuencia - Transición	250MHz
Potencia - max	100mW
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caja	SOT-553
Paquete del dispositivo del proveedor	ESV
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RN1706JE(TE85L,F) Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	RN1706JE(TE85L,F)-FT

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