casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - RF / RN142ZS12ATE61
Número de pieza del fabricante | RN142ZS12ATE61 |
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Número de parte futuro | FT-RN142ZS12ATE61 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RN142ZS12ATE61 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | PIN - 6 Independent |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 30V |
Actual - max | 50mA |
Capacitancia a Vr, F | 0.45pF @ 1V, 1MHz |
Resistencia @ Si, F | 1.5 Ohm @ 10mA, 100MHz |
Disipación de potencia (max) | - |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Paquete / Caja | 12-XFDFN |
Paquete del dispositivo del proveedor | HMD12 (2.4x0.8) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN142ZS12ATE61 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RN142ZS12ATE61-FT |
HSMS-281F-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-281F-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-282B-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-282B-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-282C-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-282C-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-282C-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-282E-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-282E-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-282E-TR2G
Broadcom Limited
XCKU11P-2FFVE1517I
Xilinx Inc.
XCV200-5FG456C
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FGG484
Microsemi Corporation
A54SX16-2VQ100I
Microsemi Corporation
EP3CLS70U484I7
Intel
5SGXEA4K1F40C2N
Intel
LCMXO1200E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-30E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000EBI652-2X
Intel
5SGXMA3H3F35I3LN
Intel