casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solos, Pre-polariza / RN1106ACT(TPL3)
Número de pieza del fabricante | RN1106ACT(TPL3) |
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Número de parte futuro | FT-RN1106ACT(TPL3) |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RN1106ACT(TPL3) Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN - Pre-Biased |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 80mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Base del emisor (R2) | 47 kOhms |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 250µA, 5mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 500nA |
Frecuencia - Transición | - |
Potencia - max | 100mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SC-101, SOT-883 |
Paquete del dispositivo del proveedor | CST3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN1106ACT(TPL3) Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RN1106ACT(TPL3)-FT |
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10M50DAF672C6G
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XC5VLX110-1FF1760I
Xilinx Inc.
XC6VLX130T-1FF484C
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG144I
Microsemi Corporation
LFX125EB-03FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD3H2F35I2LN
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