casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / RM25C32DS-LSNI-B
Número de pieza del fabricante | RM25C32DS-LSNI-B |
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Número de parte futuro | FT-RM25C32DS-LSNI-B |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Mavriq™ |
RM25C32DS-LSNI-B Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | CBRAM® |
Tecnología | CBRAM |
Tamaño de la memoria | 32kb (32B Page Size) |
Frecuencia de reloj | 20MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 100µs, 2.5ms |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 1.65V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOIC |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RM25C32DS-LSNI-B Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RM25C32DS-LSNI-B-FT |
W25X40BVSSIG
Winbond Electronics
W25X40CVSSIG
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W25X40VSSIG
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W25X40VSSIG T&R
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W25X80AVSSIG
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W25X80VSSIG
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W25X80VSSIG T&R
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CAT24C512XI-T2
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CAT93C56XI-T2
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CAT25M01VI-GT3
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XC4020XL-1HT144C
Xilinx Inc.
EX64-TQ100A
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A42MX36-1PQ240
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484I
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A3PN060-VQ100
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EP20K100EFC144-3
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10CL016YE144C8G
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5SGXEA4K2F35C2L
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LFE2-20SE-5FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U4F45I3LG
Intel