casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / RM25C128DS-LSNI-B
Número de pieza del fabricante | RM25C128DS-LSNI-B |
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Número de parte futuro | FT-RM25C128DS-LSNI-B |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Mavriq™ |
RM25C128DS-LSNI-B Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | CBRAM® |
Tecnología | CBRAM |
Tamaño de la memoria | 128kb (64B Page Size) |
Frecuencia de reloj | 20MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 100µs, 5ms |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 1.65V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-TSSOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RM25C128DS-LSNI-B Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RM25C128DS-LSNI-B-FT |
AT25XV041B-SSHV-T
Adesto Technologies
AT45DB021E-SSHN-T
Adesto Technologies
AT45DB021E-SSHN2B-T
Adesto Technologies
AT45DB021E-SSHNHA-T
Adesto Technologies
AT45DB021E-SSHNHC-T
Adesto Technologies
AT45DB041E-SHNHT-B
Adesto Technologies
AT45DB041E-SSHNHA-T
Adesto Technologies
AT45DB041E-SSHNHC-T
Adesto Technologies
AT45DB041E-SSHNHT-T
Adesto Technologies
AT45DB081E-SSHN2B-T
Adesto Technologies
EPF10K10TC144-4
Intel
A3P125-2PQG208
Microsemi Corporation
A54SX16A-PQG208I
Microsemi Corporation
LFE2M70E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA5K2F35C3N
Intel
XC4028XL-1BG256C
Xilinx Inc.
A42MX24-3PL84
Microsemi Corporation
LFE2M20E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F40I2LG
Intel
EP3C80F780C8N
Intel