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Número de pieza del fabricante | RL855-331K-RC |
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Número de parte futuro | FT-RL855-331K-RC |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RL855 |
RL855-331K-RC Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Ferrite |
Inductancia | 330µH |
Tolerancia | ±10% |
Valoración actual | 440mA |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 1.47 Ohm Max |
Q @ Freq | 20 @ 790kHz |
Frecuencia - Auto-resonante | 3.2MHz |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -30°C ~ 100°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 1kHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Radial |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Tamaño / Dimensión | 0.307" Dia (7.80mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.217" (5.50mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RL855-331K-RC Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RL855-331K-RC-FT |
RLB0913-102K
Bourns Inc.
RLB0913-390K
Bourns Inc.
RLB0913-100K
Bourns Inc.
RLB0913-1R0K
Bourns Inc.
RLB0913-181K
Bourns Inc.
RLB0913-332K
Bourns Inc.
RLB0913-121K
Bourns Inc.
RLB0913-222K
Bourns Inc.
RLB0913-820K
Bourns Inc.
RLB0913-152K
Bourns Inc.
LFE2-6SE-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A50T-2CSG325I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
M1A3P400-2PQ208
Microsemi Corporation
EP3C5F256C6
Intel
M1AGL1000V5-CSG281
Microsemi Corporation
A42MX09-1PQG160
Microsemi Corporation
LFE2M50E-5F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10M04DAU324I7G
Intel