casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / RL855-180M
Número de pieza del fabricante | RL855-180M |
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Número de parte futuro | FT-RL855-180M |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RL855 |
RL855-180M Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Ferrite |
Inductancia | 18µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 2A |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 100 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -30°C ~ 100°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 2.52MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Radial |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Tamaño / Dimensión | 0.307" Dia (7.80mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.217" (5.50mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RL855-180M Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RL855-180M-FT |
RLB0913-823K
Bourns Inc.
RLB0913-393K
Bourns Inc.
RLB0913-103K
Bourns Inc.
RLB0913-104K
Bourns Inc.
RLB0913-563K
Bourns Inc.
RLB0913-391K
Bourns Inc.
RLB0913-101K
Bourns Inc.
RLB0913-473K
Bourns Inc.
RL875-101K-RC
Bourns Inc.
RL875-100M-RC
Bourns Inc.
A42MX09-2PQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX100-3FGG676I
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-5F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003LV-4AC
Microchip Technology
5SGTMC7K2F40C1N
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
5SGXMA3K1F35C2N
Intel
5CGTFD5C5F23C7N
Intel
10AX090S4F45E3SG
Intel
EP2SGX60DF780C3
Intel