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Número de pieza del fabricante | RL855-103K-RC |
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Número de parte futuro | FT-RL855-103K-RC |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RL855 |
RL855-103K-RC Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Ferrite |
Inductancia | 10mH |
Tolerancia | ±10% |
Valoración actual | 81mA |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 55.7 Ohm Max |
Q @ Freq | 80 @ 79kHz |
Frecuencia - Auto-resonante | 550kHz |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -30°C ~ 100°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 1kHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Radial |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Tamaño / Dimensión | 0.307" Dia (7.80mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.217" (5.50mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RL855-103K-RC Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RL855-103K-RC-FT |
RLB0913-1R5K
Bourns Inc.
RLB0913-122K
Bourns Inc.
RLB0913-680K
Bourns Inc.
RLB0913-270K
Bourns Inc.
RLB0913-561K
Bourns Inc.
RLB0913-102K
Bourns Inc.
RLB0913-390K
Bourns Inc.
RLB0913-100K
Bourns Inc.
RLB0913-1R0K
Bourns Inc.
RLB0913-181K
Bourns Inc.
LCMXO1200C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCV800-5FG676C
Xilinx Inc.
M1A3P600-FG256I
Microsemi Corporation
A42MX16-2VQG100I
Microsemi Corporation
XC4020XL-1HT176I
Xilinx Inc.
EP2AGX45DF25C4N
Intel
XC7S50-2CSGA324I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FGG144M
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780I3N
Intel