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Número de pieza del fabricante | RL855-100M-RC |
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Número de parte futuro | FT-RL855-100M-RC |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RL855 |
RL855-100M-RC Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Ferrite |
Inductancia | 10µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 2.5A |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 70 mOhm Max |
Q @ Freq | 45 @ 2.5MHz |
Frecuencia - Auto-resonante | 20MHz |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -30°C ~ 100°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 1kHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Radial |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Tamaño / Dimensión | 0.307" Dia (7.80mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.217" (5.50mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RL855-100M-RC Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RL855-100M-RC-FT |
RLB0913-271K
Bourns Inc.
RLB0913-822K
Bourns Inc.
RLB0913-223K
Bourns Inc.
RLB0913-1R5K
Bourns Inc.
RLB0913-122K
Bourns Inc.
RLB0913-680K
Bourns Inc.
RLB0913-270K
Bourns Inc.
RLB0913-561K
Bourns Inc.
RLB0913-102K
Bourns Inc.
RLB0913-390K
Bourns Inc.
XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel