Número de pieza del fabricante | RH 1ZV |
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Número de parte futuro | FT-RH 1ZV |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RH 1ZV Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 200V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 600mA |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.3V @ 600mA |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 4µs |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -40°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RH 1ZV Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RH 1ZV-FT |
RB095B-90GTL
Rohm Semiconductor
RBK86025XX
Powerex Inc.
RBK86225XX
Powerex Inc.
RBK86525XX
Powerex Inc.
RBQ10B45ATL
Rohm Semiconductor
RBS84035XX
Powerex Inc.
RBS84235XX
Powerex Inc.
RC 2
Sanken
RC 2V
Sanken
RD 2A
Sanken
XCS40XL-5PQG208C
Xilinx Inc.
XC7A15T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE3000-FG484
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-1VQ100M
Microsemi Corporation
5SGSMD4K3F40I3N
Intel
5SGSED6N2F45C2N
Intel
EP2SGX90EF1152C3ES
Intel
LFE2M100SE-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB7D4F35C4N
Intel