Número de pieza del fabricante | RH 1BV |
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Número de parte futuro | FT-RH 1BV |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RH 1BV Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 800V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 600mA |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.3V @ 600mA |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 4µs |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 800V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -40°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RH 1BV Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RH 1BV-FT |
RB051MS-2YTR
Rohm Semiconductor
RB078B30STL
Rohm Semiconductor
RB085B-30GTL
Rohm Semiconductor
RB085B-40GTL
Rohm Semiconductor
RB085B-90GTL
Rohm Semiconductor
RB088B150TL
Rohm Semiconductor
RB095B-90GTL
Rohm Semiconductor
RBK86025XX
Powerex Inc.
RBK86225XX
Powerex Inc.
RBK86525XX
Powerex Inc.
A3PE600-2FGG484
Microsemi Corporation
LFE2M70E-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F484C6N
Intel
EP20K30EFC144-3
Intel
5CGXFC4F6M11C6N
Intel
XC4010XL-3BG256I
Xilinx Inc.
XC2VP7-5FF672I
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-3FFG1156C
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C4
Intel