Número de pieza del fabricante | RH 1BV1 |
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Número de parte futuro | FT-RH 1BV1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RH 1BV1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 800V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 600mA |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.3V @ 600mA |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 4µs |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 800V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -40°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RH 1BV1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RH 1BV1-FT |
RB078B30STL
Rohm Semiconductor
RB085B-30GTL
Rohm Semiconductor
RB085B-40GTL
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RB085B-90GTL
Rohm Semiconductor
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RB095B-90GTL
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RBK86025XX
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RBK86225XX
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RBK86525XX
Powerex Inc.
RBQ10B45ATL
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XC4005E-1PQ100C
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XCV300E-7FG256I
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EP20K300EBC672-2X
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EPF10K200SFC484-2X
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EP4SE530H40I3N
Intel
XC7K325T-1FF900C
Xilinx Inc.
APA075-TQG100
Microsemi Corporation
LFEC15E-4FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E4F29I3LG
Intel
EP1SGX25DF1020C6
Intel