casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / RGP10ME-M3/73
Número de pieza del fabricante | RGP10ME-M3/73 |
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Número de parte futuro | FT-RGP10ME-M3/73 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, Superectifier® |
RGP10ME-M3/73 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 1000V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.3V @ 1A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 150ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
Capacitancia a Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | DO-204AL, DO-41, Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-204AL (DO-41) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RGP10ME-M3/73 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RGP10ME-M3/73-FT |
RGP10BE-E3/53
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10BE-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10BE-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10BE-E3/91
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10BE-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10BE-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10BEHE3/53
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10BEHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10BEHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10BEHE3/91
Vishay Semiconductor Diodes Division
EPF10K20TC144-3N
Intel
LFE2-20SE-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN250V5-ZCSG81
Microsemi Corporation
A42MX16-2PQ208I
Microsemi Corporation
A3P250L-1VQ100
Microsemi Corporation
EP20K100EFC144-1
Intel
10AX032H4F35E3SG
Intel
XC7VX1140T-1FLG1926C
Xilinx Inc.
10AX090R1F40E1SG
Intel
EP3SL70F780C3
Intel