casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / RGP10JE-E3/53
Número de pieza del fabricante | RGP10JE-E3/53 |
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Número de parte futuro | FT-RGP10JE-E3/53 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, Superectifier® |
RGP10JE-E3/53 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 600V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.3V @ 1A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 150ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 600V |
Capacitancia a Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | DO-204AL, DO-41, Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-204AL (DO-41) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RGP10JE-E3/53 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RGP10JE-E3/53-FT |
RGP02-15EHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP02-15EHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP02-16E-E3/53
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP02-16E-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP02-16E-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP02-16E-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP02-16E-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP02-16EHE3/53
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP02-16EHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP02-16EHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO640E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV200-4FG456C
Xilinx Inc.
APA450-PQG208
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484I7N
Intel
5SGXEA9K2H40C2LN
Intel
5SGXEA7K2F35I2LN
Intel
A40MX04-1PLG44
Microsemi Corporation
5CEFA2U19C7N
Intel
EP1S60F1020C6N
Intel