casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / RGF1M-7000HE3/5CA
Número de pieza del fabricante | RGF1M-7000HE3/5CA |
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Número de parte futuro | FT-RGF1M-7000HE3/5CA |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, Superectifier® |
RGF1M-7000HE3/5CA Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 1000V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.3V @ 1A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 500ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
Capacitancia a Vr, F | 8.5pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-214BA |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-214BA (GF1) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RGF1M-7000HE3/5CA Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RGF1M-7000HE3/5CA-FT |
PMEG3010EH,115
Nexperia USA Inc.
BAS21H,115
Nexperia USA Inc.
PMEG1030EH,115
Nexperia USA Inc.
PMEG2015EH,115
Nexperia USA Inc.
PMEG3005EH,115
Nexperia USA Inc.
PMEG4010EH,115
Nexperia USA Inc.
PMEG6010CEH,115
Nexperia USA Inc.
BAT46GWJ
Nexperia USA Inc.
BAS16GWJ
Nexperia USA Inc.
BAT54GWJ
Nexperia USA Inc.
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
XC3S1400A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC6SLX16-3FT256C
Xilinx Inc.
XC7A200T-1FBG676I
Xilinx Inc.
A54SX08A-PQ208I
Microsemi Corporation
LFE5U-12F-7BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN060-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
XC5VLX220T-1FFG1738C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-3M100C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4M13C8N
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