Número de pieza del fabricante | RG 2V |
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Número de parte futuro | FT-RG 2V |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RG 2V Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 400V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1.2A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.8V @ 1.5A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 100ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 500µA @ 400V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -40°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RG 2V Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RG 2V-FT |
R9G21011CSOO
Powerex Inc.
R9G21012CSOO
Powerex Inc.
R9G21209ASOO
Powerex Inc.
R9G21209CSOO
Powerex Inc.
R9G21211ASOO
Powerex Inc.
R9G21211CSOO
Powerex Inc.
R9G21212CSOO
Powerex Inc.
R9G21409ASOO
Powerex Inc.
R9G21411ASOO
Powerex Inc.
R9G21412CSOO
Powerex Inc.
A40MX02-1VQG80I
Microsemi Corporation
M2GL005-VFG256
Microsemi Corporation
ICE65L01F-TVQ100C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K10-2DQU
Microchip Technology
5SGSMD6N2F45I2LN
Intel
EP3SE260F1152I4L
Intel
XC4VLX60-11FFG1148C
Xilinx Inc.
LFX125EB-05F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H4F34I3SG
Intel
EP4SGX360FF35C3N
Intel