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Número de pieza del fabricante | RFUH30TS6DGC11 |
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Número de parte futuro | FT-RFUH30TS6DGC11 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RFUH30TS6DGC11 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Configuración de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 600V |
Corriente - promedio rectificado (Io) (por diodo) | 15A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 2.8V @ 15A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 30ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 600V |
Temperatura de funcionamiento - Unión | 150°C (Max) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-247-3 |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-247 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RFUH30TS6DGC11 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RFUH30TS6DGC11-FT |
300CMQ035
SMC Diode Solutions
300CMQ045
SMC Diode Solutions
301CMQ035
SMC Diode Solutions
301CMQ040
SMC Diode Solutions
301CMQ045
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301CMQ050
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303CMQ080
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303CMQ100
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306CMQ200
SMC Diode Solutions
309CMQ135
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XC6SLX150T-3FGG676C
Xilinx Inc.
LFE2M70SE-6F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K2F40C3N
Intel
EP3SL200H780I3N
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EP2AGX125DF25I3
Intel
5SGXEA9K2H40I3L
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XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
Intel
EP1S30F780C8N
Intel