casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / RFUH20TB4S
Número de pieza del fabricante | RFUH20TB4S |
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Número de parte futuro | FT-RFUH20TB4S |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RFUH20TB4S Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 430V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 20A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.7V @ 20A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 25ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 430V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-220-3 Full Pack |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220FN |
Temperatura de funcionamiento - Unión | 150°C (Max) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RFUH20TB4S Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RFUH20TB4S-FT |
RK 14V1
Sanken
RG 4C
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RF 1BV1
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RC 2V1
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RA 13V1
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FMCA-11065
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EP01CV1
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EK 19V1
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XC2S200E-6PQ208I
Xilinx Inc.
A3P600-PQ208I
Microsemi Corporation
AT40K40AL-1EQC
Microchip Technology
EP3C25U256A7N
Intel
5SGSMD4E3H29I3N
Intel
5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC4003E-1PC84C
Xilinx Inc.
LFXP10C-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LAE3-35EA-6FN484E
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL70F780C3
Intel