casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / RFP3055LE
Número de pieza del fabricante | RFP3055LE |
---|---|
Número de parte futuro | FT-RFP3055LE |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RFP3055LE Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 11A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 107 mOhm @ 8A, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 11.3nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±16V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 350pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 38W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220-3 |
Paquete / Caja | TO-220-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RFP3055LE Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RFP3055LE-FT |
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