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RFD10P03LSM Image

ON Semiconductor RFD10P03LSM

Número de pieza de MFG
RFD10P03LSM
Cantidad disponible
60100 Piezas
Precio de referencia
USD 0
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Fecha de envío
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fabricante
ON Semiconductor
Breve descripción
- MOSFET P-CH 30V 10A TO-252AA
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
RFD10P03LSM Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET P-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 10A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200 mOhm @ 10A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
Vgs (Max) -
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1035pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) -
Temperatura de funcionamiento -
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor TO-252-3
Paquete / Caja TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RFD10P03LSM Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto RFD10P03LSM-FT

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