casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / RF101LAM2STR
Número de pieza del fabricante | RF101LAM2STR |
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Número de parte futuro | FT-RF101LAM2STR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RF101LAM2STR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 200V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 870mV @ 1A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 25ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 200V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOD-128 |
Paquete del dispositivo del proveedor | PMDTM |
Temperatura de funcionamiento - Unión | 150°C (Max) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RF101LAM2STR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RF101LAM2STR-FT |
RF01VM2SFHTE-17
Rohm Semiconductor
RBE05VM20ATE-17
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1SS355VMFHTE-17
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RB550VM-30FHTE-17
Rohm Semiconductor
AGL030V2-QNG68I
Microsemi Corporation
LFXP3C-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP20-7FGG676C
Xilinx Inc.
5CGXBC4C7F27C8N
Intel
EP3SL200F1517I4L
Intel
5SGXMA4H3F35I3N
Intel
A40MX02-2PLG44I
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H4F34I3SG
Intel
5AGXBA1D4F31C4N
Intel