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Rohm Semiconductor RDN080N25FU6

Name: RDN080N25FU6
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RDN080N25FU6
Availability: InStock
Rating: 4.9 (579 reviews)

Número de pieza de MFG: RDN080N25FU6

Cantidad disponible: 90050 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Rohm Semiconductor

Breve descripción: - MOSFET N-CH 250V 8A TO220FN

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: RDN080N25FU6.pdf

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RDN080N25FU6 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	RDN080N25FU6
Número de parte futuro	FT-RDN080N25FU6
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
RDN080N25FU6 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	250V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	8A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	500 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	30nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	543pF @ 10V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	35W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220FN
Paquete / Caja	TO-220-3 Full Pack
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RDN080N25FU6 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	RDN080N25FU6-FT

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