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Rohm Semiconductor RD3P130SPFRATL

Name: RD3P130SPFRATL
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RD3P130SPFRATL
Price: 0.592928 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (156 reviews)

Número de pieza de MFG: RD3P130SPFRATL

Cantidad disponible: 88480 Piezas

Precio de referencia: USD 0.592928

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fabricante: Rohm Semiconductor

Breve descripción: Automotive, AEC-Q101 RD3P130SPFRA IS A POWER MOSFET W

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: RD3P130SPFRATL.pdf

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RD3P130SPFRATL Presupuesto

Número de pieza del fabricante	RD3P130SPFRATL
Número de parte futuro	FT-RD3P130SPFRATL
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	Automotive, AEC-Q101
RD3P130SPFRATL Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	13A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	200 mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	40nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	2400pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	20W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-252
Paquete / Caja	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RD3P130SPFRATL Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	RD3P130SPFRATL-FT

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