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Rohm Semiconductor RD3H200SNFRATL

Name: RD3H200SNFRATL
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RD3H200SNFRATL
Price: 0.498848 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (276 reviews)

Número de pieza de MFG: RD3H200SNFRATL

Cantidad disponible: 84230 Piezas

Precio de referencia: USD 0.498848

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fabricante: Rohm Semiconductor

Breve descripción: Automotive, AEC-Q101 RD3H200SNFRA IS THE HIGH RELIABI

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: RD3H200SNFRATL.pdf

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RD3H200SNFRATL Presupuesto

Número de pieza del fabricante	RD3H200SNFRATL
Número de parte futuro	FT-RD3H200SNFRATL
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	Automotive, AEC-Q101
RD3H200SNFRATL Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	45V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	20A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	28 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 5V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	950pF @ 10V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	20W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-252
Paquete / Caja	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RD3H200SNFRATL Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	RD3H200SNFRATL-FT

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