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Rohm Semiconductor RD3H080SPFRATL

Name: RD3H080SPFRATL
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RD3H080SPFRATL
Price: 0.443296 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (622 reviews)

Número de pieza de MFG: RD3H080SPFRATL

Cantidad disponible: 51550 Piezas

Precio de referencia: USD 0.443296

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fabricante: Rohm Semiconductor

Breve descripción: Automotive, AEC-Q101 RD3H080SPFRA IS A POWER MOSFET W

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: RD3H080SPFRATL.pdf

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RD3H080SPFRATL Presupuesto

Número de pieza del fabricante	RD3H080SPFRATL
Número de parte futuro	FT-RD3H080SPFRATL
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	Automotive, AEC-Q101
RD3H080SPFRATL Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	45V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	8A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	91 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	9nC @ 5V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	1000pF @ 10V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	15W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-252
Paquete / Caja	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RD3H080SPFRATL Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	RD3H080SPFRATL-FT

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