casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Arreglos / RB088BM100FHTL
Número de pieza del fabricante | RB088BM100FHTL |
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Número de parte futuro | FT-RB088BM100FHTL |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
RB088BM100FHTL Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Configuración de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 100V |
Corriente - promedio rectificado (Io) (por diodo) | 10A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 870mV @ 5A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 8.2ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 100V |
Temperatura de funcionamiento - Unión | 150°C (Max) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-252 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RB088BM100FHTL Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RB088BM100FHTL-FT |
84CNQ035SL
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Xilinx Inc.
LFE2M70SE-6F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K2F40C3N
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EP2AGX125DF25I3
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5SGXEA9K2H40I3L
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XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
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