casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / RB081L-20TE25
Número de pieza del fabricante | RB081L-20TE25 |
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Número de parte futuro | FT-RB081L-20TE25 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RB081L-20TE25 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 20V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 5A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 450mV @ 500mA |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 700µA @ 20V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-214AC, SMA |
Paquete del dispositivo del proveedor | PMDS |
Temperatura de funcionamiento - Unión | 125°C (Max) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RB081L-20TE25 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RB081L-20TE25-FT |
RB168MM-60TFTR
Rohm Semiconductor
RB168MM100TFTR
Rohm Semiconductor
RB168MM150TFTR
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RBR1MM30ATFTR
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RBR1MM60ATFTR
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RBR2MM30BTFTR
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RBR2MM40CTFTR
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RBR3MM40BTFTR
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A54SX16A-1TQ144I
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XC7A75T-3FGG484E
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Microsemi Corporation
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5SGXEBBR1H43C2L
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Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
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EP4SGX110HF35I3
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