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Rohm Semiconductor RAQ045P01TCR
- Número de pieza de MFG
- RAQ045P01TCR
- Cantidad disponible
- 76430 Piezas
- Precio de referencia
- USD 0
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- fabricante
- Rohm Semiconductor
- Breve descripción
- - MOSFET P-CH 12V 4.5A TUMT6
- Estado sin plomo / estado RoHS
- Cumple con RoHS (sin plomo)
- Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código de fecha (D / C)
- Nuevo
- categoria de producto
- Transistores - FETs, MOSFETs - Single
- Recurso de stock
- Distribuidor Franquiciado
- Garantía
- Garantía de calidad de 360 días.
- ficha de datos
- RAQ045P01TCR.pdf
RAQ045P01TCR Presupuesto
| Número de pieza del fabricante | RAQ045P01TCR |
|---|---|
| Número de parte futuro | FT-RAQ045P01TCR |
| SPQ / MOQ | Contáctenos |
| Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| RAQ045P01TCR Estado (ciclo de vida) | En stock |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 12V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 4.5A (Ta) |
| Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 1.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30 mOhm @ 4.5A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | -8V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 4200pF @ 6V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (max) | 600mW (Ta) |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete del dispositivo del proveedor | TSMT6 (SC-95) |
| Paquete / Caja | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| RAQ045P01TCR Peso | Contáctenos |
| Número de pieza de repuesto | RAQ045P01TCR-FT |
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