Número de pieza del fabricante | RA 13V |
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Número de parte futuro | FT-RA 13V |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RA 13V Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 30V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 2A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 360mV @ 2A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 3mA @ 30V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -40°C ~ 125°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RA 13V Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RA 13V-FT |
R7013603XXUA
Powerex Inc.
R7013803XXUA
Powerex Inc.
R7014003XXUA
Powerex Inc.
R7014203XXUA
Powerex Inc.
R7014403XXUA
Powerex Inc.
R702
Microsemi Corporation
R704
Microsemi Corporation
R706
Microsemi Corporation
R711X
Microsemi Corporation
R712
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000ZE-1TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16A-1FG144
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1FG484I
Microsemi Corporation
APA750-PQ208
Microsemi Corporation
EP3CLS70F484I7
Intel
10M08DAF484C7G
Intel
EP4SE530H40I3
Intel
XCV100-5BG256C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C5N
Intel