casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / R9S02630XX
Número de pieza del fabricante | R9S02630XX |
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Número de parte futuro | FT-R9S02630XX |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
R9S02630XX Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 2600V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 3935A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 1500A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 25µs |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 75mA @ 2600V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | TO-200 Variation |
Paquete del dispositivo del proveedor | Hockey Puck |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -40°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R9S02630XX Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | R9S02630XX-FT |
R7013203XXUA
Powerex Inc.
R7013403XXUA
Powerex Inc.
R7013603XXUA
Powerex Inc.
R7013803XXUA
Powerex Inc.
R7014003XXUA
Powerex Inc.
R7014203XXUA
Powerex Inc.
R7014403XXUA
Powerex Inc.
R702
Microsemi Corporation
R704
Microsemi Corporation
R706
Microsemi Corporation
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel