casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / R9G22212CSOO
Número de pieza del fabricante | R9G22212CSOO |
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Número de parte futuro | FT-R9G22212CSOO |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
R9G22212CSOO Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 2200V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1200A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 2.3V @ 1500A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 4µs |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 75mA @ 2200V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | DO-200AB, B-PUK |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-200AB, B-PUK |
Temperatura de funcionamiento - Unión | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R9G22212CSOO Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | R9G22212CSOO-FT |
R6110825XXYZ
Powerex Inc.
R6110830XXYZ
Powerex Inc.
R6111025XXYZ
Powerex Inc.
R6111030XXYZ
Powerex Inc.
R7002603XXUA
Powerex Inc.
R7002803XXUA
Powerex Inc.
R7003003XXUA
Powerex Inc.
R7003203XXUA
Powerex Inc.
R7003403XXUA
Powerex Inc.
R7003603XXUA
Powerex Inc.
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel