casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / R9G03012XX
Número de pieza del fabricante | R9G03012XX |
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Número de parte futuro | FT-R9G03012XX |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
R9G03012XX Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 3000V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1200A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.45V @ 1500A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 25µs |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 150mA @ 3000V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | DO-200AA, A-PUK |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-200AA, R62 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R9G03012XX Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | R9G03012XX-FT |
R4220TS
Microsemi Corporation
R4230F
Microsemi Corporation
R4230TS
Microsemi Corporation
R4240F
Microsemi Corporation
R4240TS
Microsemi Corporation
R4250F
Microsemi Corporation
R4250TS
Microsemi Corporation
R4260F
Microsemi Corporation
R4260TS
Microsemi Corporation
R4280F
Microsemi Corporation
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel