casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / R7200812XXOO
Número de pieza del fabricante | R7200812XXOO |
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Número de parte futuro | FT-R7200812XXOO |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
R7200812XXOO Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 800V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1200A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.2V @ 1500A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 13µs |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 50mA @ 800V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | DO-200AB, B-PUK |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-200AB, B-PUK |
Temperatura de funcionamiento - Unión | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R7200812XXOO Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | R7200812XXOO-FT |
R6201450XXOO
Powerex Inc.
R6201630XXOO
Powerex Inc.
R6201640XXOO
Powerex Inc.
R6201830XXOO
Powerex Inc.
R6201840XXOO
Powerex Inc.
R6202030XXOO
Powerex Inc.
R6202040XXOO
Powerex Inc.
R6202230XXOO
Powerex Inc.
R6202240XXOO
Powerex Inc.
R6202430XXOO
Powerex Inc.
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel