casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / R6100825XXYZ
Número de pieza del fabricante | R6100825XXYZ |
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Número de parte futuro | FT-R6100825XXYZ |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
R6100825XXYZ Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 800V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 250A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.5V @ 800A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 11µs |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 50mA @ 800V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Chassis, Stud Mount |
Paquete / Caja | DO-205AB, DO-9, Stud |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-205AB, DO-9 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 190°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R6100825XXYZ Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | R6100825XXYZ-FT |
R30660
Microsemi Corporation
R30680
Microsemi Corporation
R30720
Microsemi Corporation
R30740
Microsemi Corporation
R30760
Microsemi Corporation
R3410
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R34100
Microsemi Corporation
R34120
Microsemi Corporation
R34140
Microsemi Corporation
R34160
Microsemi Corporation
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
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M1A3P1000L-1FGG484I
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APA1000-CQ352M
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EP2C8F256C8N
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5SGXEBBR1H43C2L
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XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel