casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / R6030635ESYA
Número de pieza del fabricante | R6030635ESYA |
---|---|
Número de parte futuro | FT-R6030635ESYA |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
R6030635ESYA Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard, Reverse Polarity |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 600V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 350A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.5V @ 800A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 2µs |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 50mA @ 600V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Chassis, Stud Mount |
Paquete / Caja | DO-205AB, DO-9, Stud |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-205AB, DO-9 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -45°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R6030635ESYA Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | R6030635ESYA-FT |
JANTX1N5616
Microsemi Corporation
JANTX1N5618US
Microsemi Corporation
JANTX1N5619US
Microsemi Corporation
JANTX1N5620
Microsemi Corporation
JANTX1N5620US
Microsemi Corporation
JANTX1N5622
Microsemi Corporation
JANTX1N5622US
Microsemi Corporation
JANTX1N5623US
Microsemi Corporation
JANTX1N5804
Microsemi Corporation
JANTX1N5807
Microsemi Corporation
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
10M16DAF256I7G
Intel
EP1K30FC256-2N
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel