casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / R6004ENX
Número de pieza del fabricante | R6004ENX |
---|---|
Número de parte futuro | FT-R6004ENX |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
R6004ENX Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 4A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 980 mOhm @ 1.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 250pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 40W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220FM |
Paquete / Caja | TO-220-3 Full Pack |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R6004ENX Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | R6004ENX-FT |
IRFIZ24GPBF
Vishay Siliconix
IRFI9Z14GPBF
Vishay Siliconix
R8008ANX
Rohm Semiconductor
IRFI510GPBF
Vishay Siliconix
TK1K2A60F,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
IRFI9Z34GPBF
Vishay Siliconix
R6020ANX
Rohm Semiconductor
IRFI634GPBF
Vishay Siliconix
IRFI9530GPBF
Vishay Siliconix
RCX510N25
Rohm Semiconductor
EP1C6T144C6
Intel
LCMXO2-1200ZE-3TG144IR1
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-FVQ100
Microsemi Corporation
EP4CE10E22C7N
Intel
XC5VLX30-1FF676I
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG144
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D4F31I3N
Intel
EP4CE55F29C6
Intel