casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / R1RW0416DSB-2PR#B0
Número de pieza del fabricante | R1RW0416DSB-2PR#B0 |
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Número de parte futuro | FT-R1RW0416DSB-2PR#B0 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
R1RW0416DSB-2PR#B0 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM |
Tamaño de la memoria | 4Mb (256K x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 12ns |
Tiempo de acceso | 12ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 3V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 44-TSOP II |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R1RW0416DSB-2PR#B0 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | R1RW0416DSB-2PR#B0-FT |
PC28F256P33B2E
Micron Technology Inc.
PC28F256P33B2F TR
Micron Technology Inc.
PC28F256P33BFF TR
Micron Technology Inc.
PC28F256P33T2E
Micron Technology Inc.
PC28F320J3F75A
Micron Technology Inc.
PC28F320J3F75B TR
Micron Technology Inc.
PC28F320J3F75D TR
Micron Technology Inc.
PC28F320J3F75E
Micron Technology Inc.
PC28F512G18AE
Micron Technology Inc.
PC28F512G18FF TR
Micron Technology Inc.
A54SX32A-1TQG144I
Microsemi Corporation
XC6SLX100T-2FG484I
Xilinx Inc.
A3P400-FG256
Microsemi Corporation
A42MX16-1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3C80F484I7N
Intel
10CL120YF484C8G
Intel
A42MX16-TQ176A
Microsemi Corporation
5AGTFD7H3F35I5N
Intel
EP4SGX230DF29I4
Intel
EP1K100QC208-2N
Intel