casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / R1RW0408DGE-2PI#B0
Número de pieza del fabricante | R1RW0408DGE-2PI#B0 |
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Número de parte futuro | FT-R1RW0408DGE-2PI#B0 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
R1RW0408DGE-2PI#B0 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Last Time Buy |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM |
Tamaño de la memoria | 4Mb (512K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 12ns |
Tiempo de acceso | 12ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 3V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 36-SOJ |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R1RW0408DGE-2PI#B0 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | R1RW0408DGE-2PI#B0-FT |
PC28F256M29EWLB TR
Micron Technology Inc.
PC28F256M29EWLD
Micron Technology Inc.
PC28F256P30B2E
Micron Technology Inc.
PC28F256P30B2F TR
Micron Technology Inc.
PC28F256P30BFB TR
Micron Technology Inc.
PC28F256P30BFF TR
Micron Technology Inc.
PC28F256P30T2E
Micron Technology Inc.
PC28F256P33B2E
Micron Technology Inc.
PC28F256P33B2F TR
Micron Technology Inc.
PC28F256P33BFF TR
Micron Technology Inc.
M1AFS600-2FG484
Microsemi Corporation
AGL060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
AGLN060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N2F40C3N
Intel
5CGXFC4F6M11C7N
Intel
5SGXEB6R3F43C3
Intel
EP4SGX360KF43I4
Intel
XC4VFX60-10FF672C
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K400EBC652-2X
Intel