casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / R1RW0408DGE-2LR#B0
Número de pieza del fabricante | R1RW0408DGE-2LR#B0 |
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Número de parte futuro | FT-R1RW0408DGE-2LR#B0 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
R1RW0408DGE-2LR#B0 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Last Time Buy |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM |
Tamaño de la memoria | 4Mb (512K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 12ns |
Tiempo de acceso | 12ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 3V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 36-SOJ |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R1RW0408DGE-2LR#B0 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | R1RW0408DGE-2LR#B0-FT |
PC28F256M29EWHD
Micron Technology Inc.
PC28F256M29EWLB TR
Micron Technology Inc.
PC28F256M29EWLD
Micron Technology Inc.
PC28F256P30B2E
Micron Technology Inc.
PC28F256P30B2F TR
Micron Technology Inc.
PC28F256P30BFB TR
Micron Technology Inc.
PC28F256P30BFF TR
Micron Technology Inc.
PC28F256P30T2E
Micron Technology Inc.
PC28F256P33B2E
Micron Technology Inc.
PC28F256P33B2F TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2-2000ZE-1UWG49ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100FI484-2
Intel
XC7VX485T-1FF1157I
Xilinx Inc.
XC2VP20-6FFG896C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-N3CSG225I
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289I
Microsemi Corporation
A54SX16A-FTQG100
Microsemi Corporation
EP1C4F324C8N
Intel
EP4SGX360HF35C2
Intel
EP2A40F1020C8ES
Intel